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三星96层堆栈3D闪存:128TB SSD不是梦

三星第五代V-NAND,堆栈层数达到来96层,单核核心容量也达到来1Tb级别,虽然三星官方没有公布闪存类型,不过综合多家媒体爆料来看这是QLC闪存类型的。

NAND闪存涨价持续一年了,导致很多人选择SSD硬盘时更加保守,容量也多在128GB到256GB之间,不过NAND闪存技术一直在进步,早前西数、东芝首发来64层堆栈的3D NAND闪存,核心容量达到了512Gb,现在NAND老大三星又推出来更牛的第五代V-NAND闪存,单颗核心容量1Tb,96层堆栈,SSD可以轻松堆出128TB超大容量。

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三星目前的3D NAND闪存主力是第四代V-NAND,64层堆栈,核心容量在256-512Gb之间,今年上半年已经大规模量产。现在发布的则是第五代V-NAND,堆栈层数达到来96层,单核核心容量也达到来1Tb级别,虽然三星官方没有公布闪存类型,不过综合多家媒体爆料来看这是QLC闪存类型的。

更多的堆栈层数及QLC类型使得三星新一代V-NAND闪存容量大幅提升,单颗核心就有1Tb,折合128GB,是目前最高水平的2倍,是主流256Gb容量的4倍,16核心封装的闪存容量可达2TB,2.5寸硬盘中可以轻松实现128TB容量,远远高过现有HDD硬盘容量水平。

不过三星首发的5代V-NAND闪存硬盘容量不会这么高,第一批产品容量为16TB,而且会用上NGSFF(Next Generation Small Form Factor)新一代小尺寸接口,也就是比现在的M.2接口更先进、小巧一些。

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如果是做服务器存储,三星表示基于5代V-NAND闪存的1U机架可安装36个16TB硬盘,实现576TB总容量。

三星的5代V-NAND闪存以及NGSFF接口预计会在今年Q4季度问世,2018年才会正式量产。

来源:百家号
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标签三星

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